[发明专利]掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202080066119.2 | 申请日： | 2020-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN114521245A | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 宍戸博明;前田仁 | 申请（专利权）人： | HOYA株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/34 | 分类号： | G03F1/34;G03F1/32;C23C14/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 杨薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供具备能够提高对ArF准分子激光的曝光光的透射率、同时能够抑制对于确保期望的相位差而言必要的膜厚的相移膜的掩模坯料。该掩模坯料在透光性基板(1)的主表面上具备相移膜(2)，其中，相移膜(2)含有硅、氧及氮，相移膜(2)的氮的含量[原子％]相对于硅的含量[原子％]的比率为0.20以上且0.52以下，相移膜(2)的氧的含量[原子％]相对于硅的含量[原子％]的比率为1.16以上且1.70以下，相移膜(2)在ArF准分子激光的曝光光的波长下的折射率n为1.7以上且2.0以下，消光系数k为0.05以下。 | ||
| 搜索关键词： | 坯料 相移 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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