[发明专利]基片处理设备和处理液制备方法在审
| 申请号： | 202080046664.5 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN114026679A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 李水根;竹口博史;筱原和义;大塚贵久;小佐井一树 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的基片处理设备包括：罐；循环管线，其供从罐出发并返回罐的处理液流动；供给调整部，其调整第一液、第二液和处理液中的至少任一者向罐的供给；排放管线，其供从罐或者循环管线排出的处理液流动；排放调整部，其处理液调整经由排放管线的排出；以及浓度传感器，其测量在浓度测量管线中流动的处理液的浓度。控制部基于浓度传感器的测量结果，控制排放调整部来调整处理液的排出，控制供给调整部来调整第一液、第二液和处理液中的至少任一者向罐的供给。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 设备 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
