[发明专利]基片处理设备和处理液制备方法在审
| 申请号: | 202080046664.5 | 申请日: | 2020-06-30 |
| 公开(公告)号: | CN114026679A | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
| 发明(设计)人: | 李水根;竹口博史;筱原和义;大塚贵久;小佐井一树 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 设备 制备 方法 | ||
本发明的基片处理设备包括:罐;循环管线,其供从罐出发并返回罐的处理液流动;供给调整部,其调整第一液、第二液和处理液中的至少任一者向罐的供给;排放管线,其供从罐或者循环管线排出的处理液流动;排放调整部,其处理液调整经由排放管线的排出;以及浓度传感器,其测量在浓度测量管线中流动的处理液的浓度。控制部基于浓度传感器的测量结果,控制排放调整部来调整处理液的排出,控制供给调整部来调整第一液、第二液和处理液中的至少任一者向罐的供给。
技术领域
本发明涉及基片处理设备和处理液制备方法。
背景技术
已知有一种基片处理设备,其一边使贮存在罐中的处理液经由循环管线循环,一边经由从循环管线分支的管线向处理单元供给处理液,使用该处理液对基片进行处理(参照专利文献1和专利文献2)。在这样的基片处理设备中,通常将罐内的处理液调整为适合于基片处理的期望浓度,浓度调整后的处理液从罐经由循环管线被送至处理单元。
在这样的基片处理设备中,有时也使用低浓度(例如20ppm以下的浓度)的处理液来进行基片处理。特别是近年来,也实施使用超低浓度(例如3ppm以下的浓度)的处理液的基片处理。在这些情况下,罐内的处理液也被调整为期望的低浓度或者超低浓度。但是,为了将罐内的处理液调整为低浓度或超低浓度,要求严格的浓度控制,花费大量的工夫和时间。
另外,对于低浓度或超低浓度的处理液而言,即使是少量的浓度不同的处理液混合,浓度也容易发生变化。因此,将处理液的浓度稳定地维持为期望的低浓度或超低浓度并不简单。特别是,有时在基片处理设备的流路中残留有处理液。这样的处理液的残留也可以进行液更换处理、排放处理。在残留处理液的浓度与期望浓度不同的情况下(例如比期望的超低浓度高的情况下),即使将罐内的处理液暂时调整为期望浓度,也会在处理液从罐到达处理单元的期间,残留处理液混入到处理液中而处理液的浓度发生变动。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2015-220318号公报
专利文献2:日本特开2017-208418号公报
发明内容
本发明提供一种能够在基片处理设备中将处理液迅速地调整为期望浓度的技术。
本发明的一个方式涉及一种基片处理设备,其包括:基片处理系统,其使用含有第一液和第二液的处理液对基片进行处理;对基片处理系统供给处理液的处理液供给系统;将第一液、第二液和处理液中的至少任一者供给到处理液供给系统的处理液调整系统;以及控制部,处理液供给系统包括:罐,其与处理液调整系统连接,贮存处理液;循环管线,其与罐连接,供从罐出发并返回到罐的处理液流动;与循环管线和基片处理系统连接的分支管线;循环器,其使处理液在循环管线中流动;排放管线,其供从罐和循环管线中的至少任一者排出的处理液流动;排放调整部,其调整处理液经由排放管线的排出;以及浓度传感器,其测量罐、循环管线、与罐连接的浓度测量管线和与循环管线连接的浓度测量管线中的至少任一者中的处理液的浓度,处理液调整系统具有供给调整部,供给调整部调整第一液、第二液和处理液中的至少任一者向罐的供给,控制部基于控制循环器而使一定量的处理液在罐和循环管线中循环之后的浓度传感器的测量结果,控制排放调整部来调整处理液的排出,控制供给调整部来调整第一液、第二液和处理液中的至少任一者向罐的供给。
依照本发明,能够在基片处理设备中将处理液迅速地调整为期望的超低浓度。
附图说明
图1是表示基片处理设备的概要结构的一个例子的图。
图2是表示处理单元的概要结构的一个例子的图。
图3是表示第一实施方式的基片处理设备的基片处理系统、处理液供给系统和处理液调整系统的概要构成例的图。
图4是表示处理液制备方法的一个例子的流程图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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