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[发明专利]基片处理方法和基片处理装置-CN202310155226.8在审
发明人：樱井宏纪;小佐井一树;筱原和义 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制在基片表面的中心位置或其附近产生颗粒的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法具有下述(A)～(D)。(A)向旋转的基片表面的中心位置供给处理液。(B)使所述处理液的供给位置从所述中心位置移动至第一偏心位置。(C)使所述处理液的供给位置停止在所述第一偏心位置，向与所述第一偏心位置不同的第二偏心位置供给用于置换所述处理液的置换液。(D)使所述处理液的供给位置从所述第一偏心位置向与所述中心位置相反的方向移动，并且使所述置换液的供给位置从所述第二偏心位置向所述中心位置移动。
处理方法装置

[发明专利]基片处理方法和基片处理装置-CN202180017221.8有效
发明人：樱井宏纪;小佐井一树;筱原和义 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：基片处理方法具有下述(A)～(D)。(A)向旋转的基片表面的中心位置供给处理液。(B)使所述处理液的供给位置从所述中心位置移动至第一偏心位置。(C)使所述处理液的供给位置停止在所述第一偏心位置，向与所述第一偏心位置不同的第二偏心位置供给用于置换所述处理液的置换液。(D)使所述处理液的供给位置从所述第一偏心位置向与所述中心位置相反的方向移动，并且使所述置换液的供给位置从所述第二偏心位置向所述中心位置移动。(E)以第一流量向所述第一偏心位置供给所述处理液，在使所述处理液的供给位置从所述第一偏心位置开始移动之后、并且到所述置换液的供给位置到达所述中心位置时为止的期间，将所述处理液的流量从所述第一流量减少至第二流量。
处理方法装置

[发明专利]基片处理装置和基片处理方法-CN202210534474.9在审
发明人：东博之;中村彻;筱原和义;中庄谷孝仁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供能够使多个液处理模块之间的液处理的温度偏差降低的基片处理装置和基片处理方法。本发明的一个方式的基片处理装置包括多个液处理模块。多个液处理模块在水平方向和垂直方向中的至少一个方向上排列配置，用于向基片供给处理液来进行液处理。液处理模块具有液处理单元、热源区域和风扇。液处理单元用于对基片进行液处理。热源区域在液处理单元的下方具有热源。风扇用于对热源区域进行冷却。
处理装置方法

[发明专利]基片处理设备和处理液制备方法-CN202080046664.5在审
发明人：李水根;竹口博史;筱原和义;大塚贵久;小佐井一树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的基片处理设备包括：罐；循环管线，其供从罐出发并返回罐的处理液流动；供给调整部，其调整第一液、第二液和处理液中的至少任一者向罐的供给；排放管线，其供从罐或者循环管线排出的处理液流动；排放调整部，其处理液调整经由排放管线的排出；以及浓度传感器，其测量在浓度测量管线中流动的处理液的浓度。控制部基于浓度传感器的测量结果，控制排放调整部来调整处理液的排出，控制供给调整部来调整第一液、第二液和处理液中的至少任一者向罐的供给。
处理设备制备方法

[发明专利]基片处理方法和基片处理装置-CN202010418111.X在审
发明人：竹口博史;筱原和义;大塚贵久;李水根 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供基片处理方法和基片处理装置。本发明的一个方式的基片处理方法包括第一清洗步骤和第二清洗步骤。第一清洗步骤用第一清洗液清洗基片。第二清洗步骤在第一清洗步骤后，用与第一清洗液相比清洁度低的第二清洗液清洗基片。本发明在使用清洁度低的清洗液的情况下，也能够从基片充分地除去颗粒。
处理方法装置

[发明专利]基片处理方法和基片处理装置-CN202010218557.8在审
发明人：中泽贵士;筱原和义 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供基片处理方法和基片处理装置。本发明的基片处理方法包括保持步骤、事先加热步骤、释放步骤和移动步骤。保持步骤保持基片。事先加热步骤加热相反面的中央部，该相反面是基片的与被处理面相反一侧的面。释放步骤在事先加热步骤后，对被处理面的周缘部释放作为硫酸和过氧化氢的混合液的SPM。移动步骤在释放步骤后，使SPM的释放位置从被处理面的周缘部向中央部移动。本发明能够在使用SPM的基片处理中抑制偏差。
处理方法装置

[发明专利]基片处理装置和基片处理方法-CN201910875980.2在审
发明人：东博之;穴本笃史;大塚贵久;筱原和义;小宫洋司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供基片处理装置和基片处理方法。本发明的基片处理装置包括循环管线、过滤器、加热部、供给管线和冷却部。循环管线使处理液循环。过滤器设置在循环管线，用于从处理液中除去异物。加热部设置在循环管线中比过滤器靠下游侧处，用于加热处理液。供给管线在比过滤器和加热部靠下游侧处与循环管线连接，将处理液供给到基片。冷却部设置在循环管线中比过滤器、加热部以及循环管线与供给管线的连接点靠下游侧处，用于冷却处理液。本发明能够抑制在加热了处理液的情况下过滤器的除去性能降低。
处理装置方法

[发明专利]基片液处理装置、处理液供给方法和存储介质-CN201810551247.0在审
发明人：福田孝佑;中岛干雄;筱原和义;东博之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及基片液处理装置、处理液供给方法和存储介质。当使用低表面张力的处理液时，防止来自喷嘴的处理液供给停止后的液体下落，定量地控制开闭阀关闭期间的处理液流量，并且减小处理液的消耗量。控制部(4)在从将处理液以第一流量从喷嘴(40)向基片(W)供给的状态起停止供给来自喷嘴的处理液时，使开闭阀(716)从打开状态转变为关闭状态，并且进行将比第一流量小的第二流量作为流量目标值给予流量控制机构(715)的停止控制，最晚至开闭阀开始从打开状态向关闭状态转变之前。
处理液处理液供给喷嘴开闭阀液处理装置存储介质流量控制机构处理液流量关闭期间停止供给停止控制状态转变消耗量减小