[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202080026129.3 | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN113711364A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 阿形泰典 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L27/06;H01L21/8249 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周爽;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置，其具备具有上表面和下表面的半导体基板，半导体基板的深度方向上的氢化学浓度分布具有第一氢浓度峰以及配置于比第一氢浓度峰更靠半导体基板的下表面侧的位置的第二氢浓度峰，第一氢浓度峰和第二氢浓度峰之间的中间施主浓度与第一氢浓度峰和半导体基板的上表面之间的上表面侧施主浓度以及第二氢浓度峰和半导体基板的下表面之间的下表面侧施主浓度都不同。中间施主浓度可以比上表面侧施主浓度和下表面侧施主浓度都高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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