[实用新型]晶圆的测试结构有效
| 申请号： | 202022357201.0 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN214068725U | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 周源;张小麟;李静怡;梁维佳;朱林迪;杨棂鑫;常东旭;王超;于江勇 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/28;G01R1/04 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;杨思雨 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本专利申请公开一种晶圆的测试结构，晶圆包括至少一个半导体器件，半导体器件具有套刻的第一结构和第二结构；测试结构包括：接触区；多个第一阱区，与接触区均位于掺杂结构中；第一电极，分别与每个第一阱区电连接；以及测试电极，与接触区电连接，并与第一电极间隔设置，使得第一电极与测试电极之间具有第一电阻，其中，沿第一方向，随着第一结构与第二结构之间相对位置的偏差增大，接触区与第一阱区接触的数量递增或递减，使第一电阻的阻值随之改变；第一方向垂直于晶圆的厚度方向。此测试结构，在完成器件制程后可通过测量阱区构成的电阻值确定两个套刻结构之间的相对偏差距离与方向，解决了光学测试方法难以在制程完成后确定套刻精度的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京燕东微电子科技有限公司，未经北京燕东微电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202022357201.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种梁自动化加工流水线
- 下一篇：斜抽芯引导装置
