[实用新型]晶圆的测试结构

权利要求书

1.一种晶圆的测试结构，其特征在于，所述晶圆包括至少一个半导体器件，所述半导体器件具有套刻的第一结构和第二结构；所述测试结构包括：

接触区；

多个第一阱区，与所述接触区均位于掺杂结构中；

第一电极，分别与每个所述第一阱区电连接；以及

测试电极，与所述接触区电连接，并与所述第一电极间隔设置，使得所述第一电极与所述测试电极之间具有第一电阻，

其中，沿第一方向，随着所述第一结构与所述第二结构之间相对位置的偏差增大，所述接触区与所述第一阱区接触的数量递增或递减，使所述第一电阻的阻值随之改变；

所述第一方向垂直于所述晶圆的厚度方向。

2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，还包括：

多个第二阱区，位于所述掺杂结构中，所述多个第二阱区为第二掺杂类型；

第二电极，分别与每个所述第二阱区电连接，并与所述测试电极间隔设置，使得所述第二电极与所述测试电极之间具有第二电阻，

其中，沿所述第一方向，所述第一阱区与所述第二阱区分别位于所述测试电极的两侧，且随着所述第一结构与所述第二结构之间相对位置的偏差增大，所述接触区与所述第二阱区接触的数量递增或递减，使得所述第二电阻的阻值随之改变。

3.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，沿所述第一方向，

在所述第一结构与所述第二结构之间的相对距离不超过预设值的情况下，所述第一电阻与所述第二电阻的电阻值相同；

在所述第一结构与所述第二结构之间的相对距离大于预设值的情况下，随着所述第一结构与所述第二结构之间相对位置的偏差增大，所述第一电阻的电阻值与所述第二电阻的电阻值变化的趋势相反，且变化量相同。

4.根据权利要求3所述的测试结构，其特征在于，所述第一阱区的数量为2n+1，其中n为正整数；在所述第一结构与所述第二结构之间的相对距离不超过预设值的情况下，所述接触区与所述第一阱区接触的数量为n+1。

5.根据权利要求4所述的测试结构，其特征在于，多个所述第一阱区平行排布并均沿所述第一方向延伸，沿所述第一方向按预设距离递进排列；

多个所述第二阱区平行排布并均沿所述第一方向延伸，沿所述第一方向按预设距离递进排列。

6.根据权利要求5所述的测试结构，其特征在于，多个所述第一阱区与多个所述第二阱区在所述测试电极上的正投影呈中心对称或轴对称。

7.根据权利要求5所述的测试结构，其特征在于，还包括隔离层和多个连接柱，

其中，所述隔离层位于所述掺杂结构上，所述多个连接柱穿过所述隔离层，所述第一电极与所述测试电极位于所述隔离层上，所述第一电极经相应所述连接柱与所述阱区电连接，所述测试电极经相应所述连接柱与所述接触区电连接。

8.根据权利要求7所述的测试结构，其特征在于，所述第一电极和所述测试电极均为焊盘；所述焊盘与所述连接柱直接接触，或者所述焊盘通过位于所述晶圆中的导电层与所述连接柱连接。

9.根据权利要求1-7任一项所述的测试结构，其特征在于，还包括：

多个第三阱区，位于所述掺杂结构中，所述多个第三阱区为第二掺杂类型；

第三电极，分别与每个所述第三阱区电连接，并与所述测试电极间隔设置，使得所述第三电极与所述测试电极之间具有第三电阻，

其中，沿第二方向，随着所述第一结构与所述第二结构之间相对位置的偏差增大，所述接触区与所述第三阱区接触的数量递增或递减，使所述第三电阻的阻值随之改变；

所述第二方向分别垂直于所述晶圆的厚度方向与所述第一方向。

10.根据权利要求9所述的测试结构，其特征在于，还包括：

多个第四阱区，位于所述掺杂结构中，所述多个第四阱区为第二掺杂类型；

第四电极，分别与每个所述第四阱区电连接，并与所述测试电极间隔设置，使得所述第四电极与所述测试电极之间具有第四电阻，

其中，沿所述第二方向，所述第三阱区与所述第四阱区分别位于所述测试电极的两侧，且随着所述第一结构与所述第二结构之间相对位置的偏差增大，所述接触区与所述第四阱区接触的数量递增或递减，使得所述第四电阻的阻值随之改变。