[实用新型]一种并联MOSFET功率板的散热结构有效
| 申请号： | 202022104098.9 | 申请日： | 2020-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN212783433U | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 程晓华;刘红;张晓阳;王林 | 申请（专利权）人： | 合肥龙控智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/38 | 分类号： | H01L23/38;H01L23/40;H01L23/367;H01L23/467 |
| 代理公司： | 合肥方舟知识产权代理事务所(普通合伙) 34158 | 代理人： | 宋萍 |
| 地址： | 230000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种并联MOSFET功率板的散热结构，包括功率板组件和散热组件，所述的功率板组件由功率板本体、隔温板、避让孔和导温螺栓组成，所述的散热组件由导联块、传导片和半导体制冷片组成，该一种并联MOSFET功率板的散热结构，首先通过半导体制冷片设计，能够实现对MOSFET功率板内部的吸热降温，提高了散热性，极大避免了传统结构的MOSFET功率板在长期运行后容易产生的过热问题，其次由导温螺栓、导联块和传导片结构相互配合的作用，不仅能够直接对MOSFET功率板前后两端进行吸热，进一步增强了散热功能，此外也能对导温螺栓进行限位，使其达到很好的安装牢固性目的，最终确保了并联MOSFET功率板的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 并联 mosfet 功率 散热 结构 | ||
【主权项】：
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