[实用新型]一种并联MOSFET功率板的散热结构

说明书

本实用新型公开了一种并联MOSFET功率板的散热结构，包括功率板组件和散热组件，所述的功率板组件由功率板本体、隔温板、避让孔和导温螺栓组成，所述的散热组件由导联块、传导片和半导体制冷片组成，该一种并联MOSFET功率板的散热结构，首先通过半导体制冷片设计，能够实现对MOSFET功率板内部的吸热降温，提高了散热性，极大避免了传统结构的MOSFET功率板在长期运行后容易产生的过热问题，其次由导温螺栓、导联块和传导片结构相互配合的作用，不仅能够直接对MOSFET功率板前后两端进行吸热，进一步增强了散热功能，此外也能对导温螺栓进行限位，使其达到很好的安装牢固性目的，最终确保了并联MOSFET功率板的稳定性。

技术领域

本实用新型涉及MOSFET功率板技术领域，尤其涉及一种并联MOSFET功率板的散热结构。

背景技术

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。

功率MOSFET主要用于计算机外设(例如：驱动器、打印机、绘图机)、电源、电机控制器、汽车电子、音响电路及仪器、仪表等领域。

根据上述，目前现有技术的并联MOSFET功率板，因容易发热，虽然设计有相应的散热结构，但现有散热结构普遍为被动式的散热孔或导温板等，不具备主动式的吸热降温功能，继而导致散热效果差，给后续使用带来极大安全隐患的问题。故而鉴于以上缺陷，实有必要设计一种并联MOSFET功率板的散热结构。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于：提供一种并联MOSFET功率板的散热结构，来解决背景技术提出的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：一种并联MOSFET功率板的散热结构，包括功率板组件和散热组件，所述的功率板组件由功率板本体、隔温板、避让孔和导温螺栓组成，所述的散热组件由导联块、传导片和半导体制冷片组成，所述的散热组件固设于功率板组件左侧，所述的散热组件与功率板组件采用螺栓连接，所述的隔温板固设于功率板本体左侧，所述的隔温板与功率板本体采用热熔连接，所述的避让孔位于功率板本体和隔温板内部，所述的避让孔为矩形通孔，所述的导温螺栓数量为若干件，所述的导温螺栓均匀固设于功率板本体内部前后两端，所述的导温螺栓与功率板本体采用内外螺纹连接，所述的导联块位于隔温板左侧，所述的导联块与隔温板采用活动连接，所述的传导片固设于导联块右侧前后两端，所述的传导片与导联块一体成型，所述的半导体制冷片固设于导联块内部左侧，所述的半导体制冷片与导联块采用热熔连接。

进一步，所述的功率板本体内部还设有安装孔，所述的安装孔为圆形通孔，所述的功率板本体内部还设有流通腔，所述的流通腔为空心腔体。

进一步，所述的隔温板内部左侧前后两端还设有螺纹槽，所述的螺纹槽为螺纹凹槽，所述的隔温板上下两端还固设有限位板，所述的限位板与隔温板一体成型。

进一步，所述的导联块内部前后两端还贯穿有紧固螺栓，所述的紧固螺栓与导联块采用活动连接，且所述的紧固螺栓与螺纹槽采用内外螺纹连接。

进一步，所述的半导体制冷片右侧为吸热端，所述的吸热端与半导体制冷片一体成型，所述的半导体制冷片左侧为放热端，所述的放热端与半导体制冷片一体成型。

与现有技术相比，该一种并联MOSFET功率板的散热结构具有以下优点：

1、首先通过半导体制冷片设计，能够实现对MOSFET功率板内部的吸热降温，提高了散热性，极大避免了传统结构的MOSFET功率板在长期运行后容易产生的过热问题。