[实用新型]具有多金属栅结构的HEMT器件有效
| 申请号： | 202020366251.2 | 申请日： | 2020-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN212907750U | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 王洪;高升;刘晓艺;胡文龙 | 申请（专利权）人： | 中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/47;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 江裕强 |
| 地址： | 528400 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了具有多金属栅结构的HEMT器件。该器件包括AlGaN/GaN外延，AlGaN/GaN外延上表面的两端分别连接源漏电极，源漏电极靠近源极侧设置栅电极，栅电极第一层金属X采用电子束蒸发方式沉积，栅电极第二层金属Y采用磁控溅射方式沉积，栅电极第二层金属Y的功函数高于第一层金属X的功函数，无需光刻，栅电极剥离后形成的与(Al)GaN接触的金属结构为Y/X/Y。与(Al)GaN接触的是多金属栅结构，使得电场重新分布，降低了靠近漏极的栅极边缘的电场峰值，提高了器件的击穿电压；同时，较低的栅极边缘的电场峰值减弱了栅极注入电子以形成虚栅效应，降低了器件的电流崩塌，提高了器件的动态性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 结构 hemt 器件 | ||
【主权项】：
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