[实用新型]具有多金属栅结构的HEMT器件有效
| 申请号： | 202020366251.2 | 申请日： | 2020-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN212907750U | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 王洪;高升;刘晓艺;胡文龙 | 申请（专利权）人： | 中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/47;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 江裕强 |
| 地址： | 528400 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 金属 结构 hemt 器件 | ||
【权利要求书】：
1.具有多金属栅结构的HEMT器件,其特征在于，包括：AlGaN/GaN外延、源漏电极及栅电极；所述AlGaN/GaN外延上表面的两端分别连接源漏电极；所述栅电极与AlGaN/GaN外延上表面连接；所述栅电极包含第一层金属X和第二层金属Y；所述栅电极剥离后形成的与AlGaN/GaN接触的金属结构为Y/X/Y。
2.根据权利要求1所述的具有多金属栅结构的HEMT器件,其特征在于，所述第一层金属X两侧的第二层金属Y的长度为0.5-1 μm。
3.根据权利要求1所述的具有多金属栅结构的HEMT器件,其特征在于，所述二层金属Y完全包裹住了第一层金属X。
4.根据权利要求1所述的具有多金属栅结构的HEMT器件,其特征在于，所述栅电极到源极的距离小于栅电极到漏极的距离。
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