[发明专利]一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202011626480.4 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112820769A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 田丽欣;杨霏;吴军民 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国网浙江省电力有限公司;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 刘静 |
| 地址： | 102211 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法，碳化硅MOSFET器件包括由下至上依次层叠的衬底基片、缓冲层、漂移层，还包括：多个P阱区，P型控制区，p+型基区，n+型源区，栅氧化物层，分裂栅电极，钝化介质层，源电极层，漏电极层，肖特基电极，本方案，利用分裂栅电极与位于分裂栅电极之间的P型控制区的耦合作用，降低栅氧化物电场并有效降低高漏源电压下的饱和电流密度，提高器件的短路耐受能力。除此之外，通过分裂栅的设置降低器件的栅漏电容，以降低SiC基DMOSFET的开关损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 mosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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