[发明专利]一种浮置源极接触刻蚀工艺的测试结构以及监控方法在审
| 申请号： | 202011580881.0 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN114695317A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 金宏峰;孙贵鹏;林峰;李春旭;陈淑娴;黄宇;曹瑞彬;赵伟 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 冯永贞 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种浮置源极接触刻蚀工艺的测试结构以及监控方法。所述测试结构包括：半导体衬底，配置为下极板，半导体衬底包括有源区和非有源区；阻挡层，位于半导体衬底的有源区上；介质层，覆盖半导体衬底和阻挡层；相互间隔设置的多个上极板，多个上极板位于有源区的上方，上极板包括孔槽和填充于孔槽的导电材料，孔槽贯穿介质层且延伸至阻挡层；接触孔，贯穿介质层且延伸至半导体衬底；上极板金属互联，位于多个上极板的上方并与多个上极板电连接，且将多个上极板并联后电连接至上极板焊盘；下极板金属互联，位于接触孔的上方并与接触孔电连接，且将半导体衬底电连接至下极板焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 浮置源极 接触 刻蚀 工艺 测试 结构 以及 监控 方法 | ||
【主权项】：
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