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[发明专利]一种调控SLE患者B淋巴细胞活化或增殖的生物标志物及应用-CN202211453744.X有效
发明人：潘庆军;廖淑珍;陈淑娴;杨拉维;陈嘉轩;汪书婷;郭丰彪;刘华锋 -专利权人：广东医科大学附属医院
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C12N15/113 文献下载
摘要：本发明属于生物医药技术领域，公开了一种调控SLE患者B淋巴细胞活化或增殖的生物标志物及应用。本发明提供了一种调控SLE患者B淋巴细胞活化或增殖的生物标志物，所述生物标志物为LncRNA ENST00000537616。活化的Ba外泌体被B细胞摄取后，可通过释放其内容物LncRNA ENST00000537616至B细胞中，进而促进B细胞的活化和增殖。本发明首次发现了活化Ba外泌体中LncRNA ENST00000537616在SLE中促进B细胞活化的作用，为SLE发病机制的研究和临床诊治提供了新的方向。
一种调控 sle 患者淋巴细胞活化增殖生物标志应用

[发明专利]抗非洲猪瘟病毒转基因的重组载体和猪成纤维细胞系及其构建方法和应用-CN202210960014.2有效
发明人：覃盼;刘艳;李小琼;田欢;仇海瑀;王斌;巩倩;陈淑娴 -专利权人：绍兴君斐生物科技有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C12N15/85 文献下载
摘要：本发明属于基因编辑技术领域，具体涉及抗非洲猪瘟病毒转基因的重组载体和猪成纤维细胞系及其构建方法和应用。本发明将pCAG‑pH11和px330载体用NOTI和SnaBI双酶切，将两个双酶切后的片段进行连接，得到pCAG‑中间载体；将pCAG‑中间载体利用ASCI和SnaBI双酶切，将含有ASFV CP204L、pS273R、B646L和I215L 4个gRNA的基因合成载体与双酶切后的pCAG‑中间载体连接，得到载体pX330‑pH11‑gRNA‑anti‑AFSV，将其转染猪原代成纤维细胞中，得到成功构建的抗ASFV转基因猪成纤维细胞系，其对于ASFV的研究及药物研发具有重要意义。
非洲猪瘟病毒转基因重组载体纤维细胞系及其构建方法应用

[发明专利]沟槽型DMOS器件及其制备方法-CN202111679671.1在审
发明人：许超奇;陈淑娴;林峰;李春旭 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种沟槽型DMOS器件及其制备方法，该沟槽型DMOS器件包括有设置于栅绝缘层内表面的扩展栅层，该扩展栅层包括第二导电类型的第一扩展栅区、第一导电类型的第二扩展栅区和第三扩展栅区，改善了沟槽型DMOS器件的耐压与比导通电阻的矛盾关系，使得沟槽型DMOS器件不仅具有高的耐压，还具有低的比导通电阻。并且该沟槽型DMOS器件为纵向耐压结构，减小了器件面积，从而减小了器件的导通电阻，同时，源极区和漏极区均可以从正面引出，可以兼容CMOS。
沟槽 dmos 器件及其制备方法

[发明专利]具有结型场板的DMOS器件及其制造方法-CN202111682019.5在审
发明人：林峰;许超奇;陈淑娴;李春旭;卢丽;刘斯扬;孙伟锋 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司;东南大学
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有结型场板的DMOS器件及其制造方法，漏区在半导体基底的表面，源区在第一沟槽的底部的半导体基底中，栅极在第一沟槽的底部，由此实现了纵向耐压，可以缩小整个器件的尺寸，降低导通电阻，极大的优化了耐压和导通电阻的关系。结型场板使得降低表面电阻的效果得到了提升，同时DMOS器件中的沟槽深度可以减小，从而减小了器件的深宽比，进而提高了提升耐压档位的可行性。所述DMOS器件中的源区和漏区均在同一表面引出，从而可以兼容CMOS器件的制造工艺。第二掺杂多晶硅层包括导电类型不同的第一子掺杂层和第二子掺杂层，由此，在N型栅极的情况下，P型掺杂层也能够直接连接栅极电位，提高了结型场板的功效。
具有结型场板 dmos 器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202111523100.9在审
发明人：张仪;许超奇;陈淑娴;林峰;马春霞;徐鹏龙 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法。其中，在半导体器件的制备方法中，通过同一掩模，利用自对准工艺分别形成源极和引出区，精简工艺。并且，源极叠置于引出区上。即，源极和引出区在垂直于衬底的方向上呈层叠结构，则引出区不影响源极的尺寸；同时，空穴可直接经体区进入引出区，无需绕过源极进入引出区，缩小的电流路径，降低导通电阻，避免寄生NPN的开启，提高器件性能。此外，本发明还利用导电插塞贯穿源极，与引出区相接触，实现同时引出源极和引出区。其中，源极的所在区域经非晶化处理，有利于导电插塞中粘附层的生长，使得电接触效果好。因此，本发明不仅实现源极和引出区的同时引出，还降低工艺难度和导通电阻，提高槽型MOS性能。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]LDMOS集成器件的制作方法-CN202111467541.1在审
发明人：许超奇;陈淑娴;马春霞;张仪;徐鹏龙;林峰;曹瑞彬 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供的LDMOS集成器件的制作方法中，提供的半导体基底具有NLDMOS区和PLDMOS区；接着，于半导体基底上形成NLDMOS区上的介质层和PLDMOS区上的介质层，于NLDMOS区上的介质层上和/或PLDMOS区上的介质层上形成应力材料层，NLDMOS区上的介质层的厚度大于所述PLDMOS区上的介质层的厚度；然后，执行热处理，以调整应力材料层的应力，提升器件的电子迁移率；再去除应力材料层。如此，能够提升NLDMOS器件和/或PLDMOS器件的电子迁移率，实现在同一工艺流程中同时制备高性能NLDMOS和高性能PLDMOS；而且，NLDMOS区上的介质层的厚度大于PLDMOS区上的介质层的厚度，即既能使NLDMOS区的Big contact下的介质层厚度满足其RESURF需求，又能使PLDMOS区的Big contact下的介质层厚度满足其RESURF需求，可以整体提升LDMOS集成器件的Big contact的RESURF能力。
ldmos 集成器件制作方法

[发明专利]自对准孔的制备方法及半导体器件-CN202111414021.4在审
发明人：许超奇;陈淑娴;林峰;马春霞;张仪;朱文明 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种自对准孔的制备方法及半导体器件，所述半导体器件包括：沟槽侧壁栅极结构，包括形成于沟槽的侧壁底部的栅极，以及沟槽内覆盖所述栅极的绝缘材料；源极区，设于所述沟槽的下方；漏极区，设于所述沟槽的顶部两侧；其中，所述半导体器件还设有向下贯穿所述绝缘材料至所述源极区的源极接触孔，所述源极接触孔中填充导电材料从而与所述源极区电性连接，所述源极接触孔从所述沟槽两侧的所述栅极之间穿过，所述源极接触孔的侧壁形成有刻蚀阻挡层。本发明可以降低器件的Ron,sp。
对准制备方法半导体器件

[发明专利]集成MOS器件的制作方法-CN202111362753.3在审
发明人：徐鹏龙;许超奇;林峰;马春霞;陈淑娴;张仪 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供的集成MOS器件的制作方法中，基底的第一和第二MOS器件区上分别形成有第一和第二栅极结构，第一栅极结构的第一栅介质层的厚度小于第二栅极结构的第二栅介质层的厚度；基于图形化的第一掩膜层执行第一次掺杂处理，在第一栅极结构两侧的基底内形成具有第一导电类型的第一掺杂区，并在第二栅极结构两侧的基底内形成具有第一导电类型的第二掺杂区；继续基于第一掩膜层执行第二次掺杂处理，在第一栅极结构两侧的基底内形成具有第二导电类型的第三掺杂区，第三掺杂区位于第一掺杂区的上表层且延伸至第一栅导电层的下方。如此仅利用一个掩膜层即可形成第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，有助于节省掩模版，降低制造成本。
集成 mos 器件制作方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法、半导体器件-CN202010698017.4有效
发明人：金华俊;孙贵鹏;林峰;陈淑娴 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法、半导体器件，所述方法包括：提供第一导电类型的半导体衬底，在所述半导体衬底中形成第二导电类型的深阱；在所述深阱中形成第一导电类型的沟道区、第一导电类型的阱区和第二导电类型的阱区，所述第一导电类型的阱区与所述沟道区之间被部分所述深阱的区域间隔开，所述漂移区位于所述沟道区和所述第一导电类型的阱区之间；在所述深阱中形成第一导电类型离子注入区，所述第一导电类型离子注入区位于所述漂移区下方，以使所述沟道区、所述第一导电类型的阱区和所述第一导电类型离子注入区包围所述漂移区；在所述深阱中形成第二导电类型的源区和第二导电类型的漏区。根据本发明，减少了工艺流程。
一种半导体器件制造方法

[实用新型]一种便于安装的调节式监控架-CN202222175309.7有效
发明人：余亚君;陈淑娴;陈涛 -专利权人：余亚君
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： F16M11/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于安装的调节式监控架，包括安装底板，所述安装底板的上端安装有电路箱，且电路箱的右侧设置有挡板，所述挡板的左侧安装有与电路箱相连接的密封圈，且电路箱的右上侧设置有固定杆；调节杆，其安装在挡板的右端，所述调节杆的外侧安装有安装框，所述定位环的下侧安装有弹簧，所述电路箱的上端设置有套管，所述安装柱和套管的连接处设置有定位杆；安装板，其单体分别设置在安装柱的左右两侧，所述安装板和安装柱的连接处安装有第二调节栓，所述限位杆和安装板的连接处设置有第一调节栓。该便于安装的调节式监控架，有利于将装置进行安装，具有良好的密封性，且提高了该装置的稳固效果。
一种便于安装调节监控

[实用新型]一种连接片、电池模组及电池-CN202220890937.0有效
发明人： 陈淑娴;任朝举 -专利权人：湖北亿纬动力有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01M50/502 文献下载
摘要：本实用新型属于电池技术领域，公开了一种连接片、电池模组及电池，该连接片包括主体部、第一连接部以及第二连接部，第一连接部和第二连接部分别连接在主体部的两侧，且第一连接部和第二连接部都能够与电芯焊接，第一连接部的数量为多个，第二连接部的数量与第一连接部的数量相等，相邻的两个第一连接部间隔设置，相邻的两个第二连接部间隔设置，由此实现了一个连接片同时与多个电芯焊接的效果，有效减少了电池模组中连接片的使用数量，具有提高电池生产效率和能量密度的效果。
一种连接电池模组

[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法-CN202110187733.0在审
发明人：李春旭;林峰;金华俊;杨斌;黄宇;黄刚;陈淑娴;金宏峰 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-02-18 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，包括：衬底；体区，具有第一导电类型，形成于衬底中；漂移区，具有第二导电类型，形成于衬底中，且与体区相邻；场板结构，形成于漂移区上，场板结构靠近体区的一端的下表面与衬底的上表面齐平，且具有向上延伸的倾斜面，场板结构远离体区的一端的下表面低于衬底的上表面，场板结构的厚度自靠近体区的一端向远离体区的一端逐渐增加到预设值；漏极区，具有第二导电类型，形成于漂移区的上表层，且与场板结构远离体区的一端接触。在不增加下表面低于衬底的上表面的场板结构的长度的同时，使得JEFET区域的位置形成有厚度逐渐增加的场板结构，提高了器件的可靠性。
横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法

[实用新型]一种水质pH值在线监测调控装置-CN202220207370.2有效
发明人： 陈淑娴;周凯斯 -专利权人：广西农业职业技术大学
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G01N33/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种水质pH值在线监测调控装置，涉及水质监测调控技术领域，包括箱体以及固定连接在箱体顶面一侧pH调节机构，箱体内部固定连接有pH检测器，箱体位于pH调节机构一端的底部固定连接有混合机构，混合机构包括安装板，安装板上固定连接有步进电机，步进电机的输出端通过联轴器转动连接有齿轮和齿条，齿条的一端滑动贯穿箱体的侧壁延伸至箱体内部，齿条的一端两侧固定连接有混合板。本实用新型通过设置混合机构，利用步进电机间接带动齿条在箱体内来回滑动，齿条上的混合板能够对中和液与水体进行更加充分的混合，且设置的通孔能够有效减小液体对混合板的阻力，进一步优化了本实用新型的使用效果。
一种水质 ph 在线监测调控装置

[实用新型]一种电池包的密封结构-CN202220486888.4有效
发明人： 陈淑娴;周莹;廖旭霞 -专利权人：湖北亿纬动力有限公司
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01M50/244 文献下载
摘要：本实用新型涉及电池包技术领域，公开一种电池包的密封结构，包括：箱体，其一端敞开设置且箱体的敞开端沿四周设有胶槽；盖板，盖板罩盖在箱体的敞开端，箱体和盖板中的一个上设有定位槽，另一个上设有定位凸起，盖板的内壁上设有与胶槽对应的固定凸起，固定凸起插设于充有密封胶的胶槽内，以使盖板和箱体密封连接形成容纳腔。本实用新型公开的电池包的定位槽和定位凸起能够实现盖板在箱体上的初步定位，胶槽内灌入液态的密封胶且固定凸起位于胶槽内，待密封胶固化后，盖板和箱体的密封连接，保证了两者连接的密封的一致性，由于密封胶与现有的密封胶条和密封圈相比，使用寿命更长，因此，降低了箱体和盖板在短时间内密封失效的可能性。
一种电池密封结构

[实用新型]一种电池包-CN202220280480.1有效
发明人： 陈淑娴;黄义 -专利权人：湖北亿纬动力有限公司
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01M50/213 文献下载
摘要：本实用新型涉及电池包技术领域，公开一种电池包，包括电池模组和从板，电池模组包括连接组件和多个圆柱电芯，每个圆柱电芯的电极均位于电池模组的同一端，且每个电极均与连接组件电连接，连接组件上设有接插件，接插件与从板插接。本实用新型公开的电池包的每个圆柱电芯的电极均位于电池模组的同一端，使得连接组件能够与每个电极电连接，从板插接在连接组件上的接插件上，无需使用连接线即可实现圆柱电芯和从板的电连接，减少了连接线的条数，降低了安装的复杂性和装错的可能性。
一种电池

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