[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有栅极结构，栅极结构两侧的基底内形成有源漏掺杂层，栅极结构露出的基底上形成有第一层间介质层，第一层间介质层覆盖栅极结构的顶部；形成贯穿栅极结构之间的第一层间介质层的开口，开口露出源漏掺杂层；在开口内形成底部源漏插塞，底部源漏插塞的顶部低于开口的顶部，且底部源漏插塞的顶部高于栅极结构的顶部；在底部源漏插塞露出的开口侧壁形成刻蚀阻挡层；形成位于相邻刻蚀阻挡层之间且贯穿第一层间介质层的栅极接触孔，栅极接触孔底部露出栅极结构；形成位于相邻刻蚀阻挡层之间且贯穿第二层间介质层的源漏接触孔。通过刻蚀阻挡层提高顶部源漏插塞与底部源漏插塞的对准精度。