[发明专利]具有不对称栅介质层的增强型GaN基MIS-HEMT及其制备方法有效
| 申请号： | 202011503224.6 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112635545B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 孙慧卿;夏凡;李渊;谭秀洋;张淼;夏晓宇;马建铖;郭志友;王鹏霖;黄志辉;丁霄 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清控智云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11919 | 代理人： | 仵乐娟 |
| 地址： | 510630 广东省广州市天*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及具有不对称栅介质层的增强型GaN基MIS‑HEMT及其制备方法，包括生长有GaN沟道层的衬底，依次层叠于沟道层上的第一AlGaN势垒层、第二AlGaN势垒层、第三AlGaN势垒层及钝化层；一栅极沟槽自钝化层的上表面延伸至第二势垒层内，包括栅介质层和栅极金属的栅极结构，其中栅极介质层覆盖栅极沟槽的底部和侧壁，与第三势垒层的上表面平齐，栅极金属填充栅极沟槽；其中覆盖于两个侧壁的栅介质层厚度不相同，沟槽底部的栅介质层厚度小于侧壁的栅介质层厚度。其改善沟道迁移率，降低导通电阻，具有较高的阈值电压和较高漏极饱和电流，提升了MIS‑HEMT的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 不对称 介质 增强 gan mis hemt 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南师范大学，未经华南师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011503224.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电源插座、用电设备及其管理系统
- 下一篇：富硒金麦面
- 同类专利
- 专利分类
