[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202011499279.4 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN113053744A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 石井洋平;凯瑟琳·迈尔;梅德哈特·哈利勒 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/306;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴秋明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明在使用化合物半导体材料等加工微细的图案时，使得能够通过比较低的温度工艺形成剖面为垂直的形状的图案。半导体装置的制造方法构成为具备使用等离子体对半导体材料进行蚀刻的工序、在半导体材料形成损伤层的工序、以及去除所述损伤层的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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