[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202011472580.6 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN112599500A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 耿万波;薛磊 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/8239;H01L27/105 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高翠花 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 该发明涉及半导体器件及其制备方法，其中所述半导体器件的制备方法包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底表面形成堆叠结构，用于形成底栅；从所述堆叠结构上表面，沿垂直所述衬底上表面向下的方向形成标记槽，所述标记槽贯穿所述堆叠结构，并深入至所述衬底内部；在所述标记槽内形成填充材料层，以形成零层标记。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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