[发明专利]具有沟道场管理结构的垂直串驱动器在审
| 申请号： | 202011451865.1 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN113451320A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 冀东;黄广宇;D·蒂梅高达 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/11556 | 分类号： | H01L27/11556;H01L27/11529;H01L27/11582;H01L27/11573;H01L29/40;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于三维(3D)存储器器件的驱动器电路，其具有电耦合到栅极导体的场管理结构。当在源极导体与漏极导体之间存在电压差并且栅极导体未被偏置时，场管理结构在3D存储器器件的垂直沟道中引起电场峰。该电场峰可以调节驱动器电路的电响应，使得电路能够具有更高击穿阈值电压和改进的驱动电流。因此，该驱动器电路可以实现在存储器阵列上方而非在存储器阵列电路下的可缩放垂直串驱动器。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟道 管理 结构 垂直 驱动器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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