[发明专利]具有沟道场管理结构的垂直串驱动器

权利要求书

1.一种驱动器电路，包括：

在源极导体与漏极导体之间的栅极层，所述栅极层通过第一电隔离层与所述源极导体垂直分隔，并且通过第二电隔离层与所述漏极导体垂直分隔，所述栅极层包括栅极导体；

与所述栅极层相交的垂直沟道，所述垂直沟道包括垂直连接在所述源极导体与所述漏极导体之间的沟道导体、以及在所述沟道导体与所述栅极导体之间的氧化物层；以及

平行于所述垂直沟道从所述栅极层延伸到所述第二电隔离层中的场板，所述场板包括具有物理结构的场板导体，所述物理结构用于在所述源极导体与所述漏极导体之间存在电压差时并且在所述栅极导体未被偏置时，在所述垂直沟道中触发电场峰。

2.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中，所述垂直沟道导体包括n型(电子多数载流子)掺杂多晶硅。

3.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中，所述垂直沟道导体包括掺杂金属氧化物。

4.根据权利要求3所述的驱动器电路，其中，所述掺杂金属氧化物包括氧化锌(ZnO)。

5.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中，所述栅极导体包括p型(空穴多数载流子)掺杂多晶硅。

6.根据权利要求5所述的驱动器电路，其中，所述场板导体包括p型(空穴多数载流子)掺杂多晶硅。

7.根据权利要求6所述的驱动器电路，其中，所述栅极导体具有比所述场板导体高的掺杂密度。

8.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中，所述场板包括具有至少两个台阶的阶梯结构，其中，所述阶梯远离所述垂直沟道并且远离所述栅极导体而步进到所述第二隔离层中。

9.根据权利要求8所述的驱动器电路，其中，所述场板导体包括p型(空穴多数载流子)掺杂多晶硅，其中，远离所述栅极导体的连续台阶具有较低的掺杂密度。

10.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中，所述场板包括第一场板结构，并且所述场板导体包括第一场板导体，并且还包括：

从所述栅极层延伸到所述第一电隔离层中的第二场板结构，所述第二场板结构包括具有物理结构的第二场板导体，所述物理结构用于在所述源极导体与所述漏极导体之间存在电压差时并且在所述栅极导体未被偏置时，在所述垂直沟道中触发电场峰。

11.根据权利要求10所述的驱动器电路，其中，所述第二场板结构包括具有至少两个台阶的阶梯结构，其中，所述阶梯远离所述垂直沟道并且远离所述栅极导体而步进到所述第一隔离层中。

12.一种NAND存储器器件，包括：

三维(3D)NAND阵列，所述3D NAND阵列包括以阶梯图案垂直堆叠的单元，其中，所述阶梯中的台阶暴露了到所述3D NAND阵列的字线的连接；以及

驱动器电路，所述驱动器电路用于控制从连接器迹线到至所述3D NAND阵列的字线的暴露连接的电流，所述驱动器电路包括：

在源极导体与漏极导体之间的栅极层，所述栅极层通过第一电隔离层与所述源极导体垂直分隔，并且通过第二电隔离层与所述漏极导体垂直分隔，所述栅极层包括栅极导体，其中，所述漏极导体电连接到所述连接器迹线，并且所述源极导体电连接到导电柱，所述导电柱电连接到至所述字线的所述暴露连接；

与所述栅极层相交的垂直沟道，所述垂直沟道包括垂直连接在所述源极导体与所述漏极导体之间的沟道导体、以及在所述沟道导体与所述栅极导体之间的氧化物层；以及

平行于所述垂直沟道从所述栅极层延伸到所述第二电隔离层中的场板，所述场板包括具有物理结构的场板导体，所述物理结构用于在所述源极导体与所述漏极导体之间存在电压差时并且在所述栅极导体未被偏置时，在所述垂直沟道中触发电场峰。