[发明专利]冷却装置及具有其的半导体扩散设备在审
申请号: | 202011443033.5 | 申请日: | 2020-12-11 |
公开(公告)号: | CN114628275A | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 金东盱;李殷廷;李亭亭;项金娟;蒋浩杰;熊文娟;田光辉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 李晶 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请属于半导体加工设备技术领域,具体涉及一种冷却装置及具有其的半导体扩散设备。所述冷却装置包括:壳体,所述壳体内形成有容纳扩散炉体的容纳空间,所述扩散炉体内容纳有晶圆;至少两个喷射口,至少两个所述喷射口沿所述扩散炉体的长度方向均匀设置在所述壳体上,至少两个所述喷射口与所述容纳空间连通,至少两个所述喷射口用于向所述扩散炉体喷射冷却介质。根据本发明的冷却装置,使冷却介质通过沿扩散炉体的长度方向设置的至少两个喷射口分别向扩散炉体喷射,以冷却介质通过不同的喷射口直接对扩散炉体进行冷却,从而保证扩散炉体的不同位置的冷却速度,至少两个喷射口均匀布置在壳体上,使扩散炉体及其内部的晶圆冷却均匀。 | ||
搜索关键词: | 冷却 装置 具有 半导体 扩散 设备 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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