[发明专利]一种防止表面金属层脱焊的半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202011415145.X | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN112542435A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 王海军;阳平 | 申请（专利权）人： | 上海擎茂微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/485;H01L21/48 |
| 代理公司： | 温州知远专利代理事务所(特殊普通合伙) 33262 | 代理人： | 汤时达 |
| 地址： | 201100 上海市闵行区东川*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种防止表面金属层脱焊的半导体装置，包括表面具有绝缘介质层的半导体器件，半导体器件的表面设有接触孔，接触孔内侧面上设置有一层由金属钛材料制成的接触层，接触层的表面设有一层由氮化钛材料制成的阻挡层，接触孔内侧面还设置有一层由金属钨材料制成的侧壁保护层，接触孔内及半导体器件的表面还设置有金属互联层，金属互联层的上方设有第一钝化层和第二钝化层。本发明的防止表面金属层脱焊的半导体装置，其键合后表面金属层不易脱落、剥离，可靠性高。此外本发明还涉及该半导体装置的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 表面 金属 层脱焊 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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