[发明专利]半导体互联结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202011363864.1 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112490187B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 冯光建;莫炯炯;郭西;高群;顾毛毛 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/46;H01L23/538 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体互联结构及其制备方法，包括第一连接结构、第二连接结构、第三连接结构及终端结构；其中，第一连接结构及第二连接结构键合后进行电连接以构成微流道结构模块；微流道结构模块及第三连接结构键合后进行电连接以构成互联结构模块，互联结构模块显露微流道、第一金属连接层及第二金属连接层；互联结构模块嵌入终端结构中，微流道与终端结构的通孔相贯通，且第三连接结构与终端结构表面的焊盘电连接，第一金属连接层、第二金属连接层分别与终端结构的凹槽侧壁的焊盘电连接；本发明可有效减少占用面积，提高集成度，且可提高散热性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 联结 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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