[发明专利]半导体互联结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体互联结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供第一基底，在所述第一基底中形成第一金属柱，并在所述第一基底的表面分别形成与所述第一金属柱的第一端及第二端电连接的第一金属连接层，且在所述第一基底中形成第一凹槽，所述第一凹槽显露所述第一金属柱，以制备第一连接结构；

提供第二基底，在所述第二基底中形成第二金属柱，并在所述第二基底的表面分别形成与所述第二金属柱的第一端及第二端电连接的第二金属连接层，且在所述第二基底中形成第二凹槽，所述第二凹槽显露所述第二金属柱，以制备第二连接结构；

键合所述第一连接结构及第二连接结构，使所述第一连接结构及第二连接结构电连接，且使所述第一凹槽及第二凹槽相连形成微流道，进行切割，以形成微流道结构模块；

提供第三基底，在所述第三基底中形成第三金属柱，并在所述第三基底的表面分别形成与所述第三金属柱的第一端及第二端电连接的第三金属连接层，以制备第三连接结构；

键合所述微流道结构模块及第三连接结构，使所述微流道结构模块与所述第三连接结构电连接，形成互联结构模块，所述互联结构模块显露所述微流道、第一金属连接层及第二金属连接层；

提供终端结构，所述终端结构包括凹槽及与所述凹槽相连通的通孔，且所述终端结构的表面及凹槽侧壁具有焊盘；

将所述互联结构模块嵌入所述终端结构中，所述微流道与所述通孔相贯通，且所述第三连接结构与所述终端结构表面的所述焊盘电连接，所述第一金属连接层、第二金属连接层分别与所述凹槽侧壁的所述焊盘电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体互联结构的制备方法，其特征在于：在进行切割工艺之前或之后，还包括在所述第一金属连接层及第二金属连接层的表面形成焊球的步骤。

3.根据权利要求1所述的半导体互联结构的制备方法，其特征在于：在键合所述微流道结构模块及第三连接结构之前，还包括在所述第三连接结构表面形成焊球的步骤。

4.根据权利要求1所述的半导体互联结构的制备方法，其特征在于：所述第一凹槽及第二凹槽相连形成的所述微流道为密封微流道，形成具有开口的所述微流道的方法包括刻蚀法或切割法。

5.根据权利要求1所述的半导体互联结构的制备方法，其特征在于：还包括在所述互联结构模块与所述终端结构之间的缝隙形成填充层的步骤。

6.根据权利要求1所述的半导体互联结构的制备方法，其特征在于：还包括提供芯片并将所述芯片与所述第三金属连接层进行电连接的步骤。

7.一种半导体互联结构，其特征在于，所述半导体互联结构包括：

第一连接结构，所述第一连接结构包括第一基底、第一金属柱、第一金属连接层及第一凹槽，所述第一金属柱贯穿所述第一基底，所述第一金属连接层位于所述第一基底的表面且分别与所述第一金属柱的第一端及第二端电连接，所述第一凹槽显露所述第一金属柱；

第二连接结构，所述第二连接结构包括第二基底、第二金属柱、第二金属连接层及第二凹槽，所述第二金属柱贯穿所述第二基底，所述第二金属连接层位于所述第二基底的表面且分别与所述第二金属柱的第一端及第二端电连接，所述第二凹槽显露所述第二金属柱；

第三连接结构，所述第三连接结构包括第三基底、第三金属柱及第三金属连接层，所述第三金属柱贯穿所述第三基底，所述第三金属连接层位于所述第三基底的表面且分别与所述第三金属柱的第一端及第二端电连接；

终端结构，所述终端结构包括凹槽及与所述凹槽相连通的通孔，且所述终端结构的表面及凹槽侧壁具有焊盘；

其中，所述第一连接结构及第二连接结构键合后进行电连接以构成微流道结构模块，且所述第一凹槽及第二凹槽相连形成微流道；所述微流道结构模块及第三连接结构键合后进行电连接以构成互联结构模块，所述互联结构模块显露所述微流道、第一金属连接层及第二金属连接层；所述互联结构模块嵌入所述终端结构中，所述微流道与所述通孔相贯通，且所述第三连接结构与所述终端结构表面的所述焊盘电连接，所述第一金属连接层、第二金属连接层分别与所述凹槽侧壁的所述焊盘电连接。