[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202011361604.0 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN113314499A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 萧远洋;沈香谷;陈殿豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了半导体器件、集成电路及其形成方法。在一个实施例中，半导体器件包括金属‑绝缘体‑金属结构，金属‑绝缘体‑金属结构包括：底部导体板层，包括第一开口和第二开口；第一介电层，位于底部导体板层上方；中间导体板层，位于第一介电层上方，并且包括第三开口、设置在第三开口内的第一伪板、和第四开口；第二介电层，位于中间导体板层上方；以及顶部导体板层，位于第二介电层上方，并且包括第五开口、设置在第五开口内的第二伪板、第六开口、和设置在第六开口内的第三伪板。第一开口、第一伪板、和第二伪板垂直对准。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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