[发明专利]一种碳化硅单晶锭、衬底及其制备方法

摘要

本申请涉及一种碳化硅单晶锭、衬底及其制备方法，属于半导体材料领域。碳化硅衬底包含氮元素，碳化硅衬底具有不大于50个六边形色斑，形成六边形色斑的边部垂直于10‑10方向；六边形色斑的边部包括内侧边和外侧边，内侧边围成六方形区域，内侧边和外侧边之间包含空洞，不小于80％的数量的空洞的中心在内侧边和外侧边之间的中轴线的一侧。本申请提供一种存在新型缺陷即六边形色斑和空洞缺陷数量少的含氮的碳化硅衬底，本申请的碳化硅衬底的电阻率均匀，由其制得的半导体器件的电学性能优良；碳化硅衬底的性能如击穿场强优良，制得的器件延伸产生的空洞数量极低。