[发明专利]一种封装结构及其制备方法、封装芯片在审
| 申请号： | 202011330073.9 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN112736052A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 孙文炳;殷昌荣 | 申请（专利权）人： | 上海艾为电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/488;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆宗力 |
| 地址： | 201199 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种封装结构及其制备方法、封装芯片，该封装结构在第一绝缘层的基础上设置了第二绝缘层，第二绝缘层即起到对接触金属层的防氧化保护，也配合第一绝缘层作为应力释放层存在，用于释放连接端子在制备时产生的较大应力，避免了晶圆上的顶层金属层和顶层钝化层由于过大应力而损毁的问题，降低了对于晶圆上的顶层金属层和顶层钝化层的抗应力要求，从而使得顶层金属层的表面面积可以小于接触金属层的面积，解决了晶圆上顶层金属与接触金属的尺寸限制的问题，可以将顶层金属层的面积做的较小，有利于减小晶圆的使用面积，从而降低封装芯片的整体成本和尺寸。另外，封装结构无需设置双层接触金属层，有利于进一步降低封装结构的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 封装 结构 及其 制备 方法 芯片 | ||
【主权项】：
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