[发明专利]半导体装置及半导体装置的制作方法在审
| 申请号： | 202011299296.3 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN114520263A | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 杨柏宇 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置及半导体装置的制作方法，其中该半导体装置包括基底、半导体通道层、半导体阻障层、栅极盖层、介电层、及栅极电极。半导体通道层设置于基底之上，半导体阻障层设置于半导体通道层之上。栅极盖层设置于半导体阻障层之上，介电层顺向性的覆盖住栅极盖层且围绕栅极盖层的周边。栅极电极设置于介电层之上，且覆盖栅极盖层的至少一侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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