[发明专利]半导体装置及半导体装置的制作方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

基底；

半导体通道层，设置于该基底之上；

半导体阻障层，设置于该半导体通道层之上；

栅极盖层，设置于该半导体阻障层之上；

介电层，顺向性的覆盖住该栅极盖层且围绕该栅极盖层的周边；以及

栅极电极，设置于该介电层之上且覆盖该栅极盖层的至少一侧壁。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该介电层的厚度薄于该栅极盖层的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该介电层设置于该栅极盖层及该栅极电极之间。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该介电层顺向性的覆盖住该半导体阻障层的顶面。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该介电层为高介电常数介电层。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该栅极电极的部分底面会低于该栅极盖层的顶面。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该栅极电极是顺向性的覆盖住该介电层。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该栅极电极的长度会大于该栅极盖层的长度。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，部分的该栅极盖层会自该栅极电极一侧突出。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该栅极电极包括主体部和至少一延伸部，该至少一延伸部设置于该主体部的一侧，且该至少一延伸部的底面低于该主体部的底面。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，该至少一延伸部包括第一延伸部及第二延伸部，分别位于该主体部的两侧，其中该第一延伸部的长度相异于该第二延伸部的长度。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置还包括漏极电极，该第一延伸部靠近该漏极电极，该第二延伸部远离该漏极电极，其中该第一延伸部的长度长于该第二延伸部的长度。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，该第一延伸部及该第二延伸部是顺向性的覆盖住该介电层。

14.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，该第一延伸部包括水平延伸部和垂直延伸部，该水平延伸部的顶面低于该垂直延伸部的顶面。

15.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，另包括层间介电层，设置于该半导体阻障层之上，其中该层间介电层的底面低于该栅极盖层的顶面。

16.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，该介电层被设置于该层间介电层及该栅极盖层的侧壁之间。

17.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，该介电层被设置于该层间介电层及该半导体阻障层之间。

18.一种半导体装置的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底；

形成半导体通道层于该基底之上；

形成半导体阻障层于该半导体通道层之上；

形成栅极盖层于该半导体阻障层之上；

形成介电层顺向性的覆盖住该栅极盖层及该半导体阻障层；以及

形成栅极电极于该介电层之上，其中该栅极电极覆盖该栅极盖层的至少一侧壁。