[发明专利]接触结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202011261322.3 | 申请日： | 2015-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN112530904A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 林瑀宏;傅美惠;林圣轩 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及接触结构及其形成方法。一种结构包括位于衬底上方的介电层、粘合层、硅化物、阻挡层和导电材料。介电层具有至衬底的表面的开口。粘合层沿着开口的侧壁。硅化物位于衬底的表面上。阻挡层位于粘合层和硅化物上，并且阻挡层直接邻接硅化物。导电材料位于开口中的阻挡层上。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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