[发明专利]接触结构及其形成方法

说明书

本发明涉及接触结构及其形成方法。一种结构包括位于衬底上方的介电层、粘合层、硅化物、阻挡层和导电材料。介电层具有至衬底的表面的开口。粘合层沿着开口的侧壁。硅化物位于衬底的表面上。阻挡层位于粘合层和硅化物上，并且阻挡层直接邻接硅化物。导电材料位于开口中的阻挡层上。

本申请是于2015年04月08日提交的申请号为201510163064.8的名称为“接触结构及其形成方法”的发明专利申请的分案申请。

优先权声明和交叉引用

本申请要求2014年8月7日提交的标题为“Method of Ti Salicide Formationwith Low Resistance and Resulting Structure”的美国临时申请第62/034,424号的权益，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及集成电路器件，更具体地，涉及接触结构及其形成方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用中，作为实例，诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备中。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层以及使用光刻图案化各个材料层以在其上形成电路组件和元件来制造半导体器件。

通常期望半导体器件以较快的速度运行。此外，通常期望减小半导体器件的尺寸以增大器件密度并且允许电子应用的增大的功能。这两个特征有时可能是不能兼得的。当尺寸减小时，半导体器件的一些部件实际上可能导致较慢的速度。期望可以实现较快的速度和减小的尺寸的解决方案。

发明内容

为了解决现有技术中存在的问题，本发明提供了一种结构，包括：介电层，位于衬底上方，所述介电层具有至所述衬底的表面的开口；粘合层，沿着所述开口的侧壁；硅化物，位于所述衬底的表面上；阻挡层，位于所述粘合层和所述硅化物上，并且所述阻挡层直接邻接所述硅化物；以及导电材料，位于所述开口中的所述阻挡层上。

在上述结构中，其中，所述粘合层是钛，所述阻挡层是氮化钛，并且所述硅化物包括钛。

在上述结构中，其中，所述粘合层的厚度介于和之间。

在上述结构中，其中，所述硅化物的厚度介于和之间。

在上述结构中，其中，所述阻挡层的厚度介于和之间。

在上述结构中，其中，所述导电材料是钨。

根据本发明的另一实施例，提供了一种结构，包括：介电层，位于衬底上方，开口穿过所述介电层至所述衬底；钛层，位于所述开口的介电侧壁上；含钛硅化物，位于所述衬底上；氮化钛层，位于所述钛层和所述含钛硅化物上，并且在所述氮化钛层的至少部分和所述含钛硅化物的至少部分之间未设置所述钛层的部分；以及导电材料，位于所述开口中的所述氮化钛层上。

在上述结构中，其中，所述钛层的厚度介于和之间。

在上述结构中，其中，所述含钛硅化物的厚度介于和之间。

在上述结构中，其中，所述氮化钛层的厚度介于和之间。

在上述结构中，其中，所述导电材料是钨。

在上述结构中，其中，所述氮化钛层直接邻接所述含钛硅化物。

根据本发明的又一实施例，提供了一种方法，包括：形成穿过介电层至衬底的开口，所述开口的底面是半导体材料的表面；沿着所述开口的侧壁和在所述半导体材料的表面上形成粘合层；在所述粘合层上形成阻挡层；在形成所述阻挡层之后，使所述粘合层与所述半导体材料反应以形成硅化物；以及在所述开口中的所述粘合层上形成导电材料。

在上述方法中，其中，所述反应包括退火。

在上述方法中，其中，在所述反应之后，所述阻挡层直接邻接所述硅化物。