[发明专利]半导体装置的结构在审
| 申请号： | 202011245650.4 | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN113130497A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 张盟昇;黄家恩;郑莞学;杨耀仁;王奕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/112 | 分类号： | H01L27/112 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置的结构包括第一数据线及第一反熔丝单元，第一反熔丝单元包括第一/第二程序化装置及第一/第二读取装置。第一程序化装置包括第一栅极及在第一栅极的相对侧面上设置的第一/第二源极/漏极区域。第二程序化装置包括与第一栅极分离且耦接到第一字线的第二栅极以及在第二栅极的相对侧面上设置的第三/第四源极/漏极区域。第一读取装置包括第三栅极及在第三栅极的相对侧面上设置的第五/第六源极/漏极区域。第二读取装置包括第四栅极及在第四栅极的相对侧面上设置的第七/第八源极/漏极区域。第三/第四栅极是耦接到第二字线的第一连续栅极的部分。第五/第七源极/漏极区域分别耦接到第二/第四源极/漏极区域。第六/第八源极/漏极区域耦接到第一数据线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
