[发明专利]一种三维半导体雪崩光电探测芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202011190233.4 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112289883B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 汪学方;张雨雨;许剑锋;肖峻峰 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 尚威;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于光电探测领域，公开了一种三维半导体雪崩光电探测芯片及其制备方法。该方法包括：(a)在SOI基片上预规划掺杂区域，所述SOI基片包括由下至上依次堆叠的半导体材料衬底、绝缘层、绝缘层上半导体；(b)通过扩散或离子注入形成P型基体；(c)在P型衬底上通过扩散或离子注入在图中位置分别形成重掺杂P型区域及重掺杂N型区域；(d)在预规划的电极位置沉积金属层，刻蚀金属层形成金属电极(e)刻蚀去掉不需要的半导体材料形成隔离。本发明的半导体雪崩光电探测芯片具有三维结构，从而提高半导体雪崩光电探测芯片的吸收面积和探测效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 半导体 雪崩 光电 探测 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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