[发明专利]反熔丝晶体管及其制造方法、存储单元及其阵列、芯片在审
| 申请号： | 202011185825.7 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN114429991A | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 安佑松;赵劼;杨涛;张欣;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种反熔丝晶体管及其制造方法、存储单元、存储单元阵列、芯片，该反熔丝晶体管包括：半导体衬底及形成于其内的浅槽隔离层；形成于半导体衬底和浅槽隔离层之上的栅极氧化层；形成于栅极氧化层之上的栅极，栅极的底面宽度大于浅槽隔离层的上表面宽度，浅槽隔离层的上表面边缘位于栅极的底面边缘以内。本公开实施例通过浅槽隔离层将一个反熔丝晶体管分隔为两个独立的反熔丝结构，能够缩小存储器件尺寸。本公开还将栅极氧化层设计为圆弧状，使电场集中在栅极氧化层的圆弧部分，使击穿位置能够控制在很小区域内，使击穿后的电阻值能位于一定阻值范围内，有利于简化反熔丝晶体管的读取电路，提高使用该反熔丝晶体管的存储器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 反熔丝 晶体管 及其 制造 方法 存储 单元 阵列 芯片 | ||
【主权项】：
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