[发明专利]反熔丝晶体管及其制造方法、存储单元及其阵列、芯片

权利要求书

1.一种反熔丝晶体管，其特征在于，包括：

半导体衬底及形成于所述半导体衬底内的浅槽隔离层；

形成于所述半导体衬底和所述浅槽隔离层之上的栅极氧化层；

形成于所述栅极氧化层之上的栅极，所述栅极的底面宽度大于所述浅槽隔离层的上表面宽度，且所述浅槽隔离层的上表面边缘位于所述栅极的底面边缘以内。

2.根据权利要求1所述的反熔丝晶体管，其特征在于，

所述半导体衬底内形成有凹槽，所述凹槽的侧壁与所述半导体衬底的上表面连接的位置处呈圆弧状；

所述浅槽隔离层填充于所述凹槽内，且所述浅槽隔离层的上表面低于所述半导体衬底的上表面。

3.根据权利要求2所述的反熔丝晶体管，其特征在于，

所述栅极氧化层包括形成于所述浅槽隔离层之上的平直部分及分别形成于所述凹槽开口两侧的所述圆弧状位置处的第一圆弧部分和第二圆弧部分。

4.根据权利要求1-3任一项所述的反熔丝晶体管，其特征在于，还包括：

形成于所述栅极氧化层和所述栅极的第一侧壁上的第一侧墙；

形成于所述栅极氧化层和所述栅极的第二侧壁上的第二侧墙。

5.一种存储单元，其特征在于，包括：选择晶体管和权利要求1-4任一项所述的反熔丝晶体管；

所述选择晶体管形成于所述半导体衬底之上，且位于所述反熔丝晶体管的一侧或两侧；

位于所述选择晶体管和所述反熔丝晶体管之间的所述反熔丝晶体管的第一有源区复用为所述选择晶体管的第一源/漏区。

6.根据权利要求5所述的存储单元，其特征在于，

所述反熔丝晶体管与位于其第一侧的选择晶体管构成第一存储单元，所述反熔丝晶体管的第一有源区复用为所述第一侧的选择晶体管的第一源/漏区；

所述反熔丝晶体管与位于其第二侧的选择晶体管构成第二存储单元，所述反熔丝晶体管的第二有源区复用为所述第二侧的选择晶体管的第一源/漏区。

7.根据权利要求5所述的存储单元，其特征在于，所述选择晶体管包括形成于所述半导体衬底上的栅堆叠、形成于所述栅堆叠下方的半导体衬底内的沟道区、形成于所述沟道区两侧的第一源/漏区和第二源/漏区，

所述栅堆叠包括栅极和位于所述栅极与所述半导体衬底之间的栅极绝缘层。

8.一种存储单元阵列，其特征在于，包括：

沿第一方向设置的多条位线和沿与所述第一方向交叉的第二方向设置的多条字线及多条反熔丝栅极线；

多个权利要求5-7任一项所述的存储单元；

每个存储单元中选择晶体管的栅极均连接至字线上，每个存储单元中选择晶体管的第二源/漏区均连接至位线上，每个存储单元中反熔丝晶体管的栅极均连接至反熔丝栅极线上。

9.根据权利要求8所述的存储单元阵列，其特征在于，

沿所述第二方向排列的存储单元中选择晶体管的栅极连接至相同的字线；沿所述第二方向排列的存储单元中反熔丝晶体管的栅极连接至相同的反熔丝栅极线。

10.根据权利要求8所述的存储单元阵列，其特征在于，

沿所述第一方向排列的存储单元中选择晶体管的第二源/漏区连接至相同的位线。

11.一种芯片，其特征在于，包括权利要求8-10任一项所述的存储单元阵列。

12.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-4任一项所述的反熔丝晶体管。

13.根据权利要求12所述的电子设备，其特征在于，包括智能电话、计算机、平板电脑、可穿戴智能设备、人工智能设备、移动电源。