[发明专利]一种晶圆处理装置及半导体制造设备在审
| 申请号： | 202011127842.5 | 申请日： | 2020-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN114388389A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 崔珍善;周娜;王佳;李琳;李俊杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B03C3/017;B03C3/04 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人： | 丛洪杰 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆处理装置及半导体制造设备，属于半导体制造技术领域，用以解决现有技术中转运腔室产生的微粒流入工艺腔室内的问题。该晶圆处理装置包括工艺腔室、转运腔室和隔离阀门；工艺腔室与转运腔室连接，隔离阀门设置在工艺腔室与转运腔室的连接部位，控制工艺腔室与转运腔室间的传送通道的开启和关闭；隔离阀门包括内板、过滤器、外板和驱动单元；过滤器设置在内板和外板之间；在晶圆加载或卸载前，驱动单元驱动内板和外板开启，过滤器对进入工艺腔室的气流进行过滤；在晶圆加载或卸载时，驱动单元驱动过滤器开启，工艺腔室与转运腔室之间的传送通道开启。本发明可降低晶圆缺陷、提高良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 处理 装置 半导体 制造 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
