[发明专利]一种晶圆处理装置及半导体制造设备在审
申请号: | 202011127842.5 | 申请日: | 2020-10-19 |
公开(公告)号: | CN114388389A | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 崔珍善;周娜;王佳;李琳;李俊杰 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B03C3/017;B03C3/04 |
代理公司: | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人: | 丛洪杰 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 处理 装置 半导体 制造 设备 | ||
本发明公开了一种晶圆处理装置及半导体制造设备,属于半导体制造技术领域,用以解决现有技术中转运腔室产生的微粒流入工艺腔室内的问题。该晶圆处理装置包括工艺腔室、转运腔室和隔离阀门;工艺腔室与转运腔室连接,隔离阀门设置在工艺腔室与转运腔室的连接部位,控制工艺腔室与转运腔室间的传送通道的开启和关闭;隔离阀门包括内板、过滤器、外板和驱动单元;过滤器设置在内板和外板之间;在晶圆加载或卸载前,驱动单元驱动内板和外板开启,过滤器对进入工艺腔室的气流进行过滤;在晶圆加载或卸载时,驱动单元驱动过滤器开启,工艺腔室与转运腔室之间的传送通道开启。本发明可降低晶圆缺陷、提高良率。
技术领域
本发明属于半导体制造技术领域,特别涉及一种晶圆处理装置及半导体制造设备。
背景技术
半导体设备中,为了将工艺腔室与转运腔室的空间隔离出来,安装了隔离阀门。在工艺进行前的晶圆装载时与工艺结束后的晶圆卸载时,隔离阀门会打开,此时转运模块或转运机器手产生的微粒依旧会随着抽入工艺腔室的气流流入工艺腔室内。
目前的隔离阀门是由一个板组成,如图1、图2所示,单纯只是上/下动作,起到隔离工艺腔室与转运腔室的角色,但无法控制或解决隔离阀门打开时流入腔室的微粒的影响。
微粒流入工艺腔室,会导致晶圆缺陷与良率低下;同时工艺腔室污染和静电吸盘(ESC)的污染会造成背氦泄漏,引发工艺条件改变,或降低晶片吸附能力,从而引起设备故障或工艺问题,并增加了非定期设备维护与保养(PM)的次数。因此,为了解决此隔离阀门打开时引入的微粒的问题,本发明通过改善工艺腔室与转运腔室起隔离效果的隔离阀门来解决。
发明内容
鉴于以上分析,本发明旨在提供一种晶圆处理装置及半导体制造设备,用以解决现有技术中转运模块或转运机器手产生的微粒流入工艺腔室内的问题。
本发明的目的主要是通过以下技术方案实现的:
本发明的提供了一种晶圆处理装置,包括工艺腔室、转运腔室和隔离阀门;
工艺腔室与转运腔室连接,隔离阀门设置在工艺腔室与转运腔室的连接部位,控制工艺腔室与转运腔室间的传送通道的开启和关闭;
隔离阀门包括内板、过滤器、外板和驱动单元;
过滤器设置在内板和外板之间;
在晶圆加载或卸载前,驱动单元驱动内板和外板开启,过滤器对进入工艺腔室的气流进行过滤;
在晶圆加载或卸载时,驱动单元驱动过滤器开启,工艺腔室与转运腔室之间的传送通道开启。
在一种可能的设计中,驱动单元包括第一轴和第一驱动单元;
第一轴与第一驱动单元连接,内板和外板均连接在第一轴上,且内板和外板平行设置;第一轴带动内板和外板移动。
在一种可能的设计中,驱动单元还包括第二轴与第二驱动单元;
第一轴设置有轴向通孔,第二轴同轴设置在第一轴的轴向通孔内;
第二轴与第二驱动单元连接,过滤器与第二轴连接,第二驱动单元驱动第二轴沿通孔轴向相对于第一轴移动,从而带动过滤器移动。
在一种可能的设计中,内板和外板均为铝合金材质。
在一种可能的设计中,铝合金化学成分以质量百分比计为:Mg2.2%~2.8%;Cr0.15%~0.35%;Cu≤0.10%;Zn≤0.10%;Mn≤0.10%;Fe≤0.40%;余量为Al。
在一种可能的设计中,过滤器为超静电过滤器。
在一种可能的设计中,超静电过滤器为采用25,000V以上的超高压电流处理过的高效过滤器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司,未经中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011127842.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种健康复合保健茶及其加工方法
- 下一篇:一种微型发光二极管显示器的芯片结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造