[发明专利]半导体工艺腔室及半导体加工设备有效
| 申请号： | 202011101544.9 | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN112359422B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 杨慧萍;杨帅;黄敏涛 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C30B31/10;C30B31/16;C30B29/06;C30B31/12;C30B31/18;C23C16/34;C23C16/455;C23C16/52;H01L21/223 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 施敬勃 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体工艺腔室及半导体加工设备，该半导体工艺腔室包括腔体、设置在该腔体中的晶圆承载装置和设置在晶圆承载装置底部的保温结构，该保温结构包括保温主体，设置在腔体内，用以对腔体内部进行保温，且在保温主体中设置有气体通道，该气体通道包括多个出气口，多个出气口沿保温主体的周向间隔分布在保温主体的外周壁上；旋转驱动机构，用于驱动保温主体围绕其轴线旋转；以及，进气管路，其出气端与气体通道的进气口相连通，进气管路的进气端延伸至腔体的外部，用于与指定气源连接。本发明实施例提供的半导体工艺腔室及半导体加工设备的技术方案，可以提高在腔体周向上的气体分布均匀性，从而可以提高工艺均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 加工 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司，未经北京北方华创微电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011101544.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电渣压力焊接头质量检测工装
- 下一篇：一种车辆导航方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
