[发明专利]半导体工艺腔室及半导体加工设备

说明书

本发明实施例提供一种半导体工艺腔室及半导体加工设备，该半导体工艺腔室包括腔体、设置在该腔体中的晶圆承载装置和设置在晶圆承载装置底部的保温结构，该保温结构包括保温主体，设置在腔体内，用以对腔体内部进行保温，且在保温主体中设置有气体通道，该气体通道包括多个出气口，多个出气口沿保温主体的周向间隔分布在保温主体的外周壁上；旋转驱动机构，用于驱动保温主体围绕其轴线旋转；以及，进气管路，其出气端与气体通道的进气口相连通，进气管路的进气端延伸至腔体的外部，用于与指定气源连接。本发明实施例提供的半导体工艺腔室及半导体加工设备的技术方案，可以提高在腔体周向上的气体分布均匀性，从而可以提高工艺均匀性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体地，涉及一种半导体工艺腔室及半导体加工设备。

背景技术

在诸如立式扩散炉等的半导体加工设备中，均匀性一直是工艺考量的重要项目，其不仅影响晶圆的质量，也直接影响设备的产能。尤其是设备的底部与顶部，因其与外界及设备其它部分之间存在热交换，且气流在腔室两端变化较大，通常设备底部与顶部中的气体分布不均匀，尤其是腔室周向上的均匀性较难保证。

因此，目前亟需一种能够改善工艺均匀性的半导体加工设备。

发明内容

本发明实施例旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体工艺腔室及半导体加工设备，其可以提高在腔体周向上的气体分布均匀性，从而可以提高工艺均匀性。

为实现上述目的，本发明实施例提供了一种半导体工艺腔室，包括腔体、设置在所述腔体中的晶圆承载装置和设置在所述晶圆承载装置底部的保温结构，其中，所述保温结构包括：

保温主体，设置在所述腔体内，用以对所述腔体内部进行保温，且所述保温主体中设置有气体通道，所述气体通道包括多个出气口，多个所述出气口沿所述保温主体的周向间隔分布在所述保温主体的外周壁上；

旋转驱动机构，用于驱动所述保温主体围绕其轴线旋转；以及，

进气管路，所述进气管路的出气端与所述气体通道的进气口相连通，所述进气管路的进气端延伸至所述腔体的外部，用于与指定气源连接。

可选的，所述保温主体包括：

多个隔热件，沿竖直方向间隔设置，且每个所述隔热件中均设置有第一空腔以及与所述第一空腔相连通的多个第一通孔，其中，所述第一通孔的出气端用作所述出气口，且多个所述出气端沿所述隔热件的周向分布在所述隔热件的外周壁上；以及，

连接结构，与各个所述隔热件连接，用以支撑各个所述隔热件，且在所述连接结构中设置有第二空腔，所述第二空腔与各个所述第一空腔相连通以构成所述气体通道，且所述第二空腔与所述进气管路的出气端相连通。

可选的，所述连接结构包括多个支撑件，在最下层的所述隔热件下方以及各个相邻的两个所述隔热件之间均设置有所述支撑件；并且，每个所述支撑件中均设置有连接通道；其中，位于最下层的所述隔热件下方的所述支撑件中的所述连接通道分别与该隔热件中的所述第一空腔和所述进气管路的出气端相连通；

位于各个相邻的两个所述隔热件之间的各个所述支撑件中的所述连接通道分别与相邻的两个所述隔热件中的所述第一空腔相连通。

可选的，每个所述支撑件均包括间隔设置的多个支撑柱，每个所述支撑柱竖直设置，且每个所述支撑柱中设置有沿其轴向贯通的第二通孔，用作所述连接通道。

可选的，每个所述隔热件包括中空的平板状壳体，且水平设置，并且所述平板状壳体的外侧壁为向外凸出的半圆形，各个所述第一通孔设置在所述外侧壁的中间位置处。

可选的，所述旋转驱动机构包括：

转盘结构，设置在所述腔体内，且位于所述保温主体的下方，用于支撑所述保温主体；