[发明专利]半导体工艺腔室及半导体加工设备

权利要求书

1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括腔体、设置在所述腔体中的晶圆承载装置和设置在所述晶圆承载装置底部的保温结构，其中，所述保温结构包括：

保温主体，设置在所述腔体内，用以对所述腔体内部进行保温，且所述保温主体中设置有气体通道，所述气体通道包括多个出气口，多个所述出气口沿所述保温主体的周向间隔分布在所述保温主体的外周壁上，且所述出气口朝向所述腔体的径向设置，所述保温主体具有向外凸出且为半圆形的外侧壁，所述外侧壁的中间位置处开设有第一通孔，所述第一通孔的出气端为所述出气口；

旋转驱动机构，用于驱动所述保温主体围绕其轴线旋转；以及，

进气管路，所述进气管路的出气端与所述气体通道的进气口相连通，所述进气管路的进气端延伸至所述腔体的外部，用于与指定气源连接；

其中，所述指定气源提供的工艺气体能够经由所述进气管路输送至所述气体通道中，所述气体通道中的工艺气体从所述保温主体的外周壁上的各个出气口流出时，能够在所述保温主体的旋转作用下形成螺旋上升的气流。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述保温主体包括：

多个隔热件，沿竖直方向间隔设置，且每个所述隔热件中均设置有第一空腔以及与所述第一空腔相连通的多个所述第一通孔，其中，多个所述出气端沿所述隔热件的周向分布在所述隔热件的外周壁上；以及，

连接结构，与各个所述隔热件连接，用以支撑各个所述隔热件，且在所述连接结构中设置有第二空腔，所述第二空腔与各个所述第一空腔相连通以构成所述气体通道，且所述第二空腔与所述进气管路的出气端相连通。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述连接结构包括多个支撑件，在最下层的所述隔热件下方以及各个相邻的两个所述隔热件之间均设置有所述支撑件；并且，每个所述支撑件中均设置有连接通道；其中，位于最下层的所述隔热件下方的所述支撑件中的所述连接通道分别与该隔热件中的所述第一空腔和所述进气管路的出气端相连通；

位于各个相邻的两个所述隔热件之间的各个所述支撑件中的所述连接通道分别与相邻的两个所述隔热件中的所述第一空腔相连通。

4.根据权利要求3所述的半导体工艺腔室，其特征在于，每个所述支撑件均包括间隔设置的多个支撑柱，每个所述支撑柱竖直设置，且每个所述支撑柱中设置有沿其轴向贯通的第二通孔，用作所述连接通道。

5.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，每个所述隔热件包括中空的平板状壳体，且水平设置，并且所述平板状壳体的外侧壁为向外凸出的半圆形。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述旋转驱动机构包括：

转盘结构，设置在所述腔体内，且位于所述保温主体的下方，用于支撑所述保温主体；

旋转轴，所述旋转轴的上端与所述转盘结构连接，所述旋转轴的下端竖直向下延伸至所述腔体的外部；

旋转驱动源，与所述旋转轴连接，用以驱动所述旋转轴旋转；以及，

密封结构，用以密封所述旋转轴与所述腔体之间的间隙。

7.根据权利要求6所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述转盘结构包括：

基座，用于支撑所述保温主体；以及，

转盘，位于所述基座的下方，且分别与所述基座和所述旋转轴连接；并且，在所述转盘与所述基座之间形成有进气空间，所述进气空间与所述气体通道相连通；所述进气管路的出气端由下而上贯通所述旋转轴，且与所述进气空间相连通。

8.根据权利要求6所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述密封结构包括：

磁流体轴承，套设在所述旋转轴上，且与所述旋转轴相配合，并且所述磁流体轴承与所述腔体固定连接；以及，

密封件，设置在所述磁流体轴承与所述腔体之间，用以对二者之间的间隙进行密封。

9.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述进气管路通过旋转接头与所述指定气源可旋转的密封连接。