[发明专利]一种三维存储器及其制作方法

摘要

本发明提供了一种三维存储器及其制作方法。该三维存储器，包括衬底和层叠结构，层叠结构设置在衬底上，层叠结构中设置有存储结构、栅极层叠结构、绝缘层和共源极柱，栅极层叠结构和共源极柱通过绝缘层绝缘设置，该共源极柱包括由外向内依次设置的导电层和柱芯，柱芯包括沿远离衬底方向叠置的多晶硅柱和钨金属柱，钨金属柱位于栅极层叠结构的最顶层栅极层所在水平面上方。通过将钨金属柱位于栅极层叠结构的最顶层栅极层所在水平面上方，即将现有常规的钨金属柱的高度大幅缩短，从而有效减小了钨金属柱所产生的缩应力，有效缓解了上述开裂的产生，同时可以通过在此基础上调整钨金属柱的高度，进而避免其导电性受到影响。