[发明专利]半导体结构的制作方法和半导体结构

摘要

本申请提供了一种半导体结构的制作方法和半导体结构，该半导体结构的制作方法包括：形成基底结构，基底结构包括衬底、堆叠结构、外延层和半导体填充结构，其中，堆叠结构位于衬底上，堆叠结构包括本体结构和位于本体结构中的沟道孔，本体结构包括交替设置的牺牲层和绝缘介质层，外延层分别位于沟道孔的底部上，半导体填充结构位于沟道孔内；采用各向异性刻蚀法刻蚀去除部分半导体填充结构，形成用于容纳漏极接触结构的凹槽；在凹槽中填充漏极接触材料，形成漏极接触结构。采用该制作方法，通过各向异性刻蚀法形成凹槽，使得凹槽的底面较为平整，从而减小了寄生电容的影响，缓解了电压分布较宽的问题，保证了电压分布间隔总和较大。