[发明专利]一种套刻标记的制备方法在审
| 申请号： | 202011058736.6 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN114334906A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 赵勇杰 | 申请（专利权）人： | 合肥本源量子计算科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/02;G03F1/80;G03F9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种套刻标记的制备方法，属于集成电路制备工艺技术领域。它包括提供衬底，衬底上形成有金属层；图形化金属层以获得位于衬底表面的套刻标记区；形成掩模层于金属层上，掩模层上与套刻标记区相对应的位置形成有悬垂的图形窗口，且图形窗口与待制备的套刻标记的形状一致；以掩模层为掩模，通过图形窗口蒸镀标记材料于套刻标记区；去除掩模层，套刻标记区上的标记材料形成套刻标记，从而解决现有技术中直接在晶圆(Wafer)上的铝膜等金属表面蒸镀贵金属Au等制作套刻标记时所产生的黑点、腐蚀痕迹等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 标记 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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