[发明专利]包括页缓冲器的半导体存储器装置在审
| 申请号： | 202011050163.2 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN113539329A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 金东赫;吴星来;李永宅;朴泰成;丁寿男 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/08;G11C16/14;G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 包括页缓冲器的半导体存储器装置。一种半导体存储器装置包括：存储器单元；以及页缓冲器，其包括通过位线联接到存储器单元的感测电路。该页缓冲器包括：包括在感测电路中的第一晶体管；以及不包括在感测电路中的第二晶体管。联接到第一晶体管的第一触点的横截面尺寸和联接到第二晶体管的第二触点的横截面尺寸彼此不同。第二触点的横截面尺寸小于第一触点的横截面尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 缓冲器 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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