[发明专利]半导体制造方法和半导体结构在审
| 申请号： | 202011025749.3 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN114256143A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 李南照;高建峰;刘卫兵;李俊杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体制造方法和半导体结构，包括如下步骤：在半导体基板上形成金属层沟槽；在所述金属层沟槽上沉积金属保护层和旋涂硬掩模；在所述金属层沟槽下形成金属层连接结构；去除旋涂硬掩模和金属保护层，填充金属，形成金属层。通过在金属层沟槽上沉积金属保护层和旋涂硬掩模，使沉积金属保护层覆盖金属层沟槽；再在金属层沟槽下形成金属层连接结构，能够减少等离子处理工艺在金属层沟槽导致的介电常数变化，从而改善半导体元件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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