[发明专利]半导体制造方法和半导体结构

权利要求书

1.一种半导体制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

在半导体基板上形成金属层沟槽；

在所述金属层沟槽上沉积金属保护层和旋涂硬掩模；

在所述金属层沟槽下形成金属层连接结构；

去除旋涂硬掩模和金属保护层，填充金属，形成金属层。

2.如权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，所述在半导体基板上形成金属层沟槽，包括如下步骤：

在半导体基板上沉积电介质，形成电介质层；

使用干式刻蚀的方式刻蚀所述电介质层，形成金属层沟槽。

3.如权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，所述在所述金属层沟槽上沉积金属保护层和旋涂硬掩模，包括如下步骤：

在所述金属层沟槽上沉积金属保护层；

在所述金属保护层上沉积旋涂硬掩模，使沉积的旋涂硬掩模覆盖住金属保护层。

4.如权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，所述在所述金属层沟槽下形成金属层连接结构，包括如下步骤：

在所述旋涂硬掩模上涂布光刻胶；

使用干式刻蚀的方式刻蚀所述旋涂硬掩模、金属保护层和电介质层，在所述金属层沟槽下形成金属层连接结构。

5.如权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，所述去除旋涂硬掩模和金属保护层，填充金属，形成金属层，包括如下步骤：

去除光刻胶；

使用灰化工艺去除旋涂硬掩模；

去除金属保护层；

在所述金属层连接结构和金属层沟槽中填充金属，形成金属层。

6.如权利要求5所述的半导体制造方法，其特征在于，在所述金属层连接结构和金属层沟槽中填充金属，形成金属层之前，还包括：

在所述金属层连接结构和金属层沟槽中形成阻挡金属层。

7.如权利要求6所述的半导体制造方法，其特征在于，所述阻挡金属层的材料包括：钛、氮化钛、钽和氮化钽。

8.如权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，在所述去除旋涂硬掩模和金属保护层，填充金属，形成金属层之后，还包括：

在所述金属层和电介质层上沉积防蚀层。

9.如权利要求8所述的半导体制造方法，其特征在于，在所述在所述金属层和电介质上沉积防蚀层之后，还包括：

在防蚀层上形成金属层

10.如权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，所述金属保护层的材料包括：钛和氮化钛。

11.一种半导体结构，其特征在于，根据权利要求1至10中的任一项的方法形成。