[发明专利]半导体零部件、涂层形成方法和等离子体反应装置在审
| 申请号： | 202011024611.1 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN114256047A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 朱生华;陈星建;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;C23C4/134;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/22;C23C16/30;C23C16/40;C23C16/44;C23C16/455;C23C28/00 |
| 代理公司： | 深圳中创智财知识产权代理有限公司 44553 | 代理人： | 文言;田宇 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体零部件、形成涂层的方法和等离子体反应装置，其中，半导体零部件包括：零部件本体；第一耐腐蚀涂层，位于零部件本体表面，其内具有孔隙，其材料具有第一孔隙率；第二耐腐蚀涂层，位于第一耐腐蚀涂层上，其材料具有第二孔隙率，第二孔隙率小于第一孔隙率；导电导热材料，填充于第一耐腐蚀涂层的孔隙内。本发明提供的半导体零部件表面具有导热导电的耐腐蚀涂层，由于耐腐蚀涂层具有导热导电的通道，因此提高了耐腐蚀涂层的抗热冲击性能和残留电荷释放能力，降低了由于材料热膨胀系数不同产生的颗粒污染问题，以及残留电荷过多产生的电弧问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 零部件 涂层 形成 方法 等离子体 反应 装置 | ||
【主权项】：
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