[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202011019357.6 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN114256351A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 纪世良;肖杏宇;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 吴凡 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底、分立于衬底上的栅极结构、位于栅极结构两侧的源漏掺杂层以及位于栅极结构之间的层间介质层，基底包括器件区和伪器件区，伪器件区的延伸方向与栅极结构的延伸相垂直；去除伪器件区中，部分厚度的栅极结构和层间介质层，形成第一开口；去除第一开口露出的栅极结构，形成第二开口；在第二开口中形成第一阻断层。本申请实施例，在第二开口中形成第一阻断层，相应的第一阻断层不易形成在层间介质层上，相应的，刻蚀层间介质层，形成露出源漏掺杂层的源漏开口的过程中，形成源漏开口的过程中，第一阻断层不易起到暂时刻蚀停止的作用，有利于提高半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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