[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底、分立于所述衬底上的栅极结构、位于所述栅极结构两侧的源漏掺杂层以及覆盖所述源漏掺杂层的层间介质层，所述基底包括器件区和伪器件区，所述伪器件区的延伸方向与所述栅极结构的延伸相垂直；

去除所述伪器件区中，部分厚度的所述栅极结构和层间介质层，形成第一开口；

去除所述第一开口露出的所述栅极结构，形成第二开口；

在所述第二开口中形成第一阻断层；

刻蚀所述层间介质层，形成露出所述源漏掺杂层的源漏开口，所述源漏开口的延伸方向与所述栅极结构的延伸方向相同。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第二开口中形成第一阻断层的步骤包括：

在所述第一开口和第二开口中形成介电材料层；

去除所述第一开口中的所述介电材料层，剩余位于所述第二开口中的所述介电材料层作为第一阻断层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述第一开口中的所述介电材料层。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述介电材料层的步骤包括：在所述第一开口和第二开口中保形覆盖氮化硅材料层；在所述氮化硅材料层上形成氧化硅材料层；

或者，

形成所述介电材料层的步骤包括：在所述第一开口和第二开口中形成氮化硅层。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：形成所述第一阻断层后，在所述第一开口中形成第二阻断层；

刻蚀所述层间介质层，形成露出所述源漏掺杂层的源漏开口的过程中，还刻蚀所述第二阻断层。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一开口中形成第二阻断层的步骤中，所述第二阻断层的材料与所述层间介质层的材料相同。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二阻断层的材料包括氧化硅。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成第一开口的步骤中，所述层间介质层的顶面至所述源漏掺杂层的顶面的距离大于

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，提供基底的步骤中，所述栅极结构和所述层间介质层之间形成有侧墙层；

所述半导体结构的形成方法包括：提供所述基底后，形成所述第一开口前，去除部分厚度或完全去除所述侧墙层。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，提供基底的步骤中，所述栅极结构和所述层间介质层之间形成有侧墙层；

所述半导体结构的形成方法包括：形成所述第一开口后，形成所述第二开口前，去除部分厚度或完全去除所述侧墙层。

11.如权利要求9或10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除部分厚度或完全去除所述侧墙层。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述第一开口露出的所述栅极结构，形成第二开口。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除伪器件区中，部分厚度的所述栅极结构和层间介质层，形成第一开口的步骤包括：

在所述基底上形成具有凹槽的掩膜层，所述凹槽露出所述伪器件区；

所述半导体结构的形成方法还包括：形成所述第二开口后，去除所述掩膜层。