[发明专利]半导体装置和半导体装置的操作方法在审

专利信息
申请号: 202011018123.X 申请日: 2020-09-24
公开(公告)号: CN113450858A 公开(公告)日: 2021-09-28
发明(设计)人: 李丙仁;金殷洪 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C16/08 分类号: G11C16/08;G11C16/10;G11C16/24;H01L27/11529;H01L27/11556;H01L27/11573;H01L27/11582
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 刘久亮;黄纶伟
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 半导体装置和半导体装置的操作方法。一种半导体装置包括连接在源极线和位线之间的存储器串。该存储器串包括沿着第一沟道层层叠的第一存储器单元、沿着第二沟道层层叠的第二存储器单元、以及连接在第一存储器单元和第二存储器单元之间的至少一个开关存储器单元。一种操作该半导体装置的方法包括:对第一存储器单元中的所选第一存储器单元进行编程;选择第二存储器单元中的要进行编程的第二存储器单元;将编程电压施加到与所选第二存储器单元连接的字线;截止开关存储器单元以使得第一沟道层和第二沟道层彼此电隔离;以及将通过电压施加到与第一存储器单元和第二存储器单元中的未选存储器单元连接的字线。
搜索关键词: 半导体 装置 操作方法
【主权项】:
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